پوست الکترونیکی با ترانزیستور تک اتمی تولید شد
به ضخامت ۱۰۰ نانومتر؛ پوست الکترونیکی با ترانزیستور تک اتمی تولید شد محققان دانشگاه استنفورد برای تولید پوست الکترونیکی گامی بلند رو به جلو برداشتهاند و موفق به تولید ترانزیستورهای باریک تک اتمی شدهاند. به گزارش دنیای اسراربه نقل ازمهر، پوستهای الکترونیکی باید کاملاً باریک و راحت باشند. از همین رو باید اجزای الکترونیکی مورد
به ضخامت ۱۰۰ نانومتر؛
پوست الکترونیکی با ترانزیستور تک اتمی تولید شد
محققان دانشگاه استنفورد برای تولید پوست الکترونیکی گامی بلند رو به جلو برداشتهاند و موفق به تولید ترانزیستورهای باریک تک اتمی شدهاند.
به گزارش دنیای اسراربه نقل ازمهر، پوستهای الکترونیکی باید کاملاً باریک و راحت باشند. از همین رو باید اجزای الکترونیکی مورد استفاده برای تولید آنها نیز کاملاً باریک و نازک باشند. فناوری جدید ابداع شده در دانشگاه استنفورد به مهندسان امکان میدهد تا ترانزیستورهای تک اتمی بسازند که ضخامت آنها تنها ۱۰۰ نانومتر است.
پیش از این برای تولید نیمه هادیها و ترانزیستورهای دو بعدی باریک تلاش شده بود، اما مشکل اساسی گرم شدن شدید آنها بود که پلاستیکهای مورد استفاده برای تولید پوستهای الکترونیک را ذوب میکرد. در رویکرد جدید برای حل این مشکل از پوشش سیلیکونی و نیز یک پوشش مکمل نیمه رسانای فوقالعاده نازک از دی سولفید مولیبدن استفاده شده که با الکترودهای طلای نانو تکمیل میشوند.
مجموعه این ترکیب تنها سه اتم ضخامت دارد و قادر به تحمل دمای ۸۱۵ درجه سانتیگراد است. انتظار میرود از این ترکیب برای تولید پوستهای الکترونیکی با قابلیت عبور دادن ولتاژ کم استفاده شود که ۵ میکرون ضخامت داشته باشند. این رقم یک دهم موی انسان است.
- نظرات ارسال شده توسط شما، پس از تایید توسط مدیران سایت منتشر خواهد شد.
- نظراتی که حاوی تهمت یا افترا باشد منتشر نخواهد شد.
- نظراتی که به غیر از زبان فارسی یا غیر مرتبط با خبر باشد منتشر نخواهد شد.
ارسال نظر شما
مجموع نظرات : 0 در انتظار بررسی : 0 انتشار یافته : 0